Схемы транзистора п217

Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база 80в - не более 0,3 мА. Максимальный ток коллектора - 5 А. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 2,5А, базы 0,37А - не более 1. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3,5А, базы 0,5А - не более 1. Т ранзисторы П - германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры - p-n-p. Постоянная рассеиваемая мощность Рк т max: Максимальное напряжение коллектор - база - 60 в.

Биполярный транзистор. Основные параметры, схемы включения и мн.др.

Схемы транзистора п217

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер 60в - не более 30 мА. Максимальное напряжение коллектор - база - 60 в. Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" в режиме насыщения при токе коллектра 0,2 А -от 20 до Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой - кГц. Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база 80в - не более 0,3 мА.

Т ранзисторы П - германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры - p-n-p.

Схемы транзистора п217

Транзисторы П - германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры - p-n-p. Постоянная рассеиваемая мощность Рк т max: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,5А - не более 1 в. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях напряжения, схемах переключения. Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 60 в. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 2,5А, базы 0,37А - не более 1.

Максимальный ток коллектора - 5 А. Транзисторы П - германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры - p-n-p. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 2,5А, базы 0,37А - не более 1. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3,5А, базы 0,5А - не более 1.

Схемы транзистора п217

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер 60в - не более 50 мА. Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база 60в: Т ранзисторы П - германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры - p-n-p.

Схемы транзистора п217

Схемы транзистора п217

Максимальное напряжение коллектор - база - 60 в. Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 2,5А, базы 0,37А - не более 1. Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер 60в - не более 30 мА.

Максимальное напряжение коллектор - база - 60 в. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях напряжения, схемах переключения. Т ранзисторы П - германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры - p-n-p.

Т ранзисторы П - германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры - p-n-p. Выпускались в металлостеклянном корпусе двух видов с жесткими выводами. Транзисторы П - германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры - p-n-p. Постоянная рассеиваемая мощность Рк т max - 10 Вт с радиатором, 1,5 Вт - без. Максимальное напряжение коллектор - база - 80 в. Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база 60в: Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" в режиме насыщения при токе коллектра 0,2 А -от 20 до



Схема rolsen c29sr135t
Салфетка из джута схема
Схемы вытынанки осенние
Кукла-пеленашка схема
Кондиционер дома схемы
Читать далее...